Electrothermally actuated RF MEMS switches suspended on a low-resistivity substrate
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/1798
Tipus de documentArticle
Data publicació2007-10-31
EditorIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents an electrothermally actuated lateral resistive-contact switch for application to low-gigahertz-band communication systems. It was manufactured on a standard low-resistivity substrate, and its RF performance was improved by suspending the structures 25 μm from the substrate, which is a strategy for future integration with active devices in the system-on-chip concept. Measured insertion losses are−0.26 dB at 1 GHz and −0.65 dB at 6 GHz, return losses are −29 dB at 1 GHz and −25 dB at 6 GHz, and isolations are −52 dB at 1 GHz and −26 dB at 6 GHz. The device is driven by a metal electrothermal actuator, which achieves large displacements and contact forces at much lower temperatures than traditional polysilicon electrothermal actuators. The RF power handling characteristics are also addressed and measured.
CitacióGirbau, D.; Pradell, L.; Lazaro, A.; Nebot, A. Electrothermally actuated RF MEMS switches suspended on a low-resistivity substrate. Journal of microelectromechanical systems, 2007, vol. 16, núm. 5, p. 1061-1070.
ISSN1057-7157
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Electrothermally actuated RF MEMS.pdf | 1,184Mb | Visualitza/Obre |