Asymptotic analysis of the Gunn effect with realistic boundary conditions
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/16911
Tipus de documentArticle
Data publicació1997-08-31
EditorThe American Physical Society
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A general asymptotic analysis of the Gunn effect in n-type GaAs under general boundary conditions for
metal-semiconductor contacts is presented. Depending on the parameter values in the boundary condition of
the injecting contact, different types of waves mediate the Gunn effect. The periodic current oscillation typical
of the Gunn effect may be caused by moving charge-monopole accumulation or depletion layers, or by low- or
high-field charge-dipole solitary waves. A new instability caused by multiple shedding of ~low-field! dipole
waves is found. In all cases the shape of the current oscillation is described in detail: we show the direct
relationship between its major features ~maxima, minima, plateaus, etc.! and several critical currents ~which
depend on the values of the contact parameters!. Our results open the possibility of measuring contact parameters
from the analysis of the shape of the current oscillation
CitacióBonilla, L.L; Cantalapiedra, I.R.; Gomila, G.; Rubí, J.M. "Asymptotic analysis of the Gunn effect with realistic boundary conditions". Physical Review E, 1997, vol. 56, núm. 2, p.1500-1510
ISSN1063-651X
Versió de l'editorhttp://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevE.56.1500
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Bonilla_Cantalapiedra_Asymptotic.pdf | 252,9Kb | Visualitza/Obre |