Transient noise failures in SRAM cells: dynamic noise margin metric
Visualitza/Obre
06114765.pdf (3,275Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/15781
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
EditorIEEE Computer Society Publications
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Current nanometric IC processes need to assess the robustness of memories under any possible source of disturbance: process and mismatch variations, bulk noises, supply rings variations, temperature changes, aging and environmental aggressions such as RF or on-chip couplings. In the case of SRAM cells, the static immunity to such perturbations is well characterized by means of the Static Noise Margin (SNM)defined as the maximum applicable series voltage at the inputs which causes no change in the data retention nodes. In addition, a significant number of disturbance sources present a transient behavior which has to be taken in consideration. In this paper, a metric to evaluate the cell robustness in the presence of transient voltage signals is proposed. Sufficiently high energy noise signals will compel the cell to flip to a failure state. On the other hand, sufficiently low energy noise signals will not be able to flip the cell and the state will be preserved. The Dynamic Noise Margin(DNM) metric is defined as the minimum energy of the voltage pulses able to flip the cell. A case example of transient voltage noise pulses on a 6T SRAM cell using 45nm technology has been studied. Simulation results show the use of the proposed metric as an indicator of cell robustness in the presence of transient voltage noise
CitacióVatajelu, E. [et al.]. Transient noise failures in SRAM cells : dynamic noise margin metric. A: Asian Test Symposium. "Proceedings of the twentieth Asian test symposium: ATS 2011". New Delhi: IEEE Computer Society Publications, 2011, p. 413-418.
ISBN978-0-7695-4583-7
Col·leccions
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos [60]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos [78]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.715]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
06114765.pdf | 3,275Mb | Accés restringit |