Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor
Visualitza/Obre
Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor (366,1Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/14665
Tipus de documentArticle
Data publicació2011-11-16
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Theoretical and experimental investigations combining in situ Kelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon.
CitacióMoreno, C. [et al.]. Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor. "Journal of Material Chemistry", 16 Novembre 2011, vol. 22, p. 345-348.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
10.1039_C1JM15037E.pdf | Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor | 366,1Kb | Accés restringit |