Carbon nanotube growth process-related variablity in CNFET's
Visualitza/Obre
IEEE Nano 2011 C. Garcia (858,9Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/14489
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
EditorIEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In silicon bulk CMOS technology the variability of the device parameters is a key drawback that may be a limiting factor for further miniaturizing nodes. Novel nanoscale beyond- CMOS devices are being studied such as carbon nanotubes (CNTs). The goal of this paper is to evaluate the parameter variability in Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs) and their potential capability to be a promising alternative to Si-CMOS technology.
CitacióGarcía, C.; Rubio, J. Carbon nanotube growth process-related variablity in CNFET's. A: IEEE conference in Nanotechnology. "Proceedings IEEE NANO 2011". Portland: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, p. 1084-1087.
ISBN978-1-4398-7142-3
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Carmen_Nano_2011.pdf | IEEE Nano 2011 C. Garcia | 858,9Kb | Accés restringit |