A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a 1-mW CMOS Direct Conversion Receiver Operating in the 2.4-GHz ISM Band
Visualitza/Obre
A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a.pdf (1,401Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/14366
Tipus de documentArticle
Data publicació2011-09
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A decreasing-sized π -model electrostatic discharge (ESD) protection structure is presented and applied to protect against ESD stresses at the RF input pad of an ultra-low power CMOS front-end operating in the 2.4-GHz industrial-scientific-medical band. The proposed ESD protection structure is composed of a pair of ESD devices located near the RF pad, another pair close to the core circuit, and a high-quality integrated inductor connecting these two pairs. This structure can sustain a human body-model ESD level higher than 16 kV and a machine-model ESD level higher than 1 kV without degrading the RF performance of the front-end. A combined on-wafer transmission line pulse and RF test methodology for RF circuits is also presented confirming previous results. The front-end implements a zero-IF receiver. It has been implemented in a standard 2P6M 0.18-μm CMOS process. It exhibits a voltage gain of 24 dB and a single-sideband noise figure of 8.4 dB, which make it suitable for most of the 2.4-GHz wireless short-range communication transceivers. The power consumption is only 1.06 mW from a 1.2-V voltage supply.
CitacióGonzález, J. [et al.]. A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a 1-mW CMOS Direct Conversion Receiver Operating in the 2.4-GHz ISM Band. "IEEE transactions on microwave theory and techniques", Setembre 2011, vol. 59, núm. 9, p. 2318-2330.
ISSN0018-9480
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=05953539
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a.pdf | 1,401Mb | Accés restringit |