A comparative variability analysis for CMOS and CNFET 6T SRAM cells
Visualitza/Obre
06026572.pdf (723,0Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/MWSCAS.2011.6026572
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/14292
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Statistical device variability may be a limiting factor for further miniaturizing nodes in silicon bulk CMOS technology. On the other hand, in novel technologies such as Carbon Nanotubes Field Effect Transistors (CNFETs), the device variability is also present and is mainly due to imperfections inherent in current carbon nanotube (CNT) growth methods. The goal of this paper is to evaluate the impact of the main sources of variability in conventional MOSFET and CNFET 6T SRAM cells through the consideration of random threshold voltage process variations.
CitacióGarcía, C.; Rubio, J. A comparative variability analysis for CMOS and CNFET 6T SRAM cells. A: IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems. "International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS)". 2011, p. 1-4.
ISBN978-1-61284-856-3
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6026572&tag=1
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
06026572.pdf | 723,0Kb | Accés restringit |