Effect of Mn-acceptor dopant on dielectric and piezoelectric responses of lead lanthanum zirconate titanate piezoceramics
Visualitza/Obre
Article (1,179Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/14139
Tipus de documentArticle
Data publicació2011-08-01
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Dielectric and direct piezoelectric responses in non-doped and Mn-doped Pb0.91La0.09(Zr0.65,Ti0.35)O3 ceramics are experimentally studied. The permittivity and the direct piezoelectric coefficient were measured by applying an ac electric field or a mechanical stress, respectively. The results show that the dielectric response is mainly due to an extrinsic contribution at room temperature. A notable reduction in room temperature dielectric losses by Mn-doping is verified. The temperature of the minimum of the losses depends on the Mn-content, enabling the Pb0.91La0.09(Zr0.65,Ti0.35)O3 properties to be tuned from soft to hard. A significant stabilization of the dielectric and piezoelectric responses, related to domain wall motion reduction, is confirmed in Mn-doped materials, so these materials become good candidates for transducer applications. The correlation between the dielectric constant and dielectric losses is discussed in terms of the Rayleigh model. Results show that Mn-doped PLZT response does not fit this model. This fact could be explained by taking into account the nature of the defects created by manganese addition. These complex defects act as pinning centers, and the reversible movement of domain walls provide a significant contribution to the response of these materials.
CitacióPérez-Delfín, E. [et al.]. Effect of Mn-acceptor dopant on dielectric and piezoelectric responses of lead lanthanum zirconate titanate piezoceramics. "Journal of applied physics", 01 Agost 2011, vol. 110, núm. 3, p. 1-6.
ISSN0021-8979
Versió de l'editorhttp://jap.aip.org/resource/1/japiau/v110/i3/p034106_s1
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Effect of Mn-ac ... iezoelectric responses.pdf | Article | 1,179Mb | Accés restringit |