Experimental verification of the usefulness of the n-th power law MOSFET model under hot carrier wearout
Visualitza/Obre
10.1016/j.microrel.2011.06.041
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/13917
Tipus de documentArticle
Data publicació2011-09-16
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this paper the usefulness of the nth power law MOSFET model under Hot Carrier Injection (HCI) wearout has been experimentally demonstrated. In order to do that, three types of nFET transistors have been analyzed under different HCI conditions and the nth power law MOSFET model has been extracted for each sample. The results show that the model can reproduce the MOSFET behavior under HCI wearout mechanism. Therefore, the impact of HCI on circuits can be analyzed by using the nth power law MOSFET model.
CitacióBerbel, N. [et al.]. Experimental verification of the usefulness of the n-th power law MOSFET model under hot carrier wearout. "Microelectronics reliability", 16 Setembre 2011, vol. Volume 51, núm. Issue 9 - 11, p. 1564-1567.
ISSN0026-2714
Versió de l'editorhttp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002627141100240X
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
8602786.pdf | 185,8Kb | Visualitza/Obre |