Model predicts large-signal modfet performance
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/1248
Tipus de documentArticle
Data publicació1989-11-30
EditorPENTON MEDIA, INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Modulation doped FETs (MODFETs) provide low-noise performance in many medium- and high-power microwave applications. Unfortunately, there are few large-signal models available for MODFETs, and determining the parameters of these models at high power levels is often difficult. A good large-signal model can be obtained from small-signal measurements that require relatively common microwave instrumentation. The authors explain how small-signal measurements of various bias points yield a useful nonlinear equivalent circuit.
CitacióO'Callaghan, J.M.; Beyer, J.B. Model predicts large-signal modfet performance. Microwaves & RF, 1989, vol.28, núm.11, p.113-14, 116, 118-19
ISSN0745-2993
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Model predicts.pdf | 436,4Kb | Visualitza/Obre |