Electrical transport and impedance analysis of Au/porous silicon thin films
Visualitza/Obre
articulo conferencia (163,2Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
ISBN (381,4Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Portada (480,3Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Tabla de contenido (618,8Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/11958
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
EditorIEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers
Condicions d'accésAccés restringit per decisió de l'autor
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
In order to obtain electronic devices based on
PS/p-Si structure, we present a study the AC
conductivity and Thermo-electrical behavior of Porous
Silicon (PS) layers prepared by electrochemical
etching in p-type silicon (p-Si) <100> substrates. The
beginning is obtaining good electrical contacts on
porous layer; for this reason, several Au/PS/Au
junctions were electrically characterized to understand
the transport mechanisms in porous surface and the
temperature dependence in the porous properties
studied, also the resistance-temperature characteristic
of PS/p-Si thermistor device. Finally, we obtained the
AC conductivity in modulo and phase; an electrical
equivalent circuit was proposed to fit the experimental
frequency response of the different sample
CitacióFonthal, F.; Goyes, C.; Rodriguez, A. Electrical transport and impedance analysis of Au/porous silicon thin films. A: Electronics, Robotics and Automotive Mechanics Conference. "CERMA 2008". Cuernavaca: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, p. 3-7.
ISBN978-0-7695-3320-9
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=4641038
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
FFonthal_IEEE_CERMA08.pdf | articulo conferencia | 163,2Kb | Accés restringit | |
ISBN CERMA 2008.jpg | ISBN | 381,4Kb | Imatge JPEG | Accés restringit |
PORTADA CERMA 2008.jpg | Portada | 480,3Kb | Imatge JPEG | Accés restringit |
Tabla de contenido CERMA 2008.jpg | Tabla de contenido | 618,8Kb | Imatge JPEG | Accés restringit |