Pentacene thin-film transistors on polymeric gate dielectric: device fabrication and electrical characterization
Visualitza/Obre
1-s2.0-S0022309304002236-main(1).pdf (357,3Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1016/j.jnoncrysol.2004.03.054
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/113072
Tipus de documentArticle
Data publicació2004-06
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Pentacene thin-film transistors using polymethyl methacrylate as a gate dielectric have been fabricated. A bottom gate, inverted staggered structure was selected to study the influence of the dielectric on the device performance. Crystalline silicon wafers and polyethylenenaphtalate polymer foils were used as substrates. Pentacene thin-films were deposited by thermal evaporation in a high-vacuum system. The maximum process temperature was 170 °C, corresponding to the baking of polymethyl methacrylate. These devices showed satisfactory p-type electrical characteristics with on/off ratios exceeding 103 for VGS ranging from -30 to 30 V. The field-effect mobility and threshold voltage were around 0.01 cm2 V-1 s-1 and -14 V, respectively. The polymethyl methacrylate dielectric also seems to provide some advantages of the so-called self-assembling monolayers.
CitacióPuigdollers, J., Voz, C., Martin, I., Orpella, A., Vetter, M., Alcubilla, R. Pentacene thin-film transistors on polymeric gate dielectric: device fabrication and electrical characterization. "Journal of non-crystalline solids", Juny 2004, vol. 338-340, p. 617-621.
ISSN0022-3093
Versió de l'editorhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309304002236
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1-s2.0-S0022309304002236-main(1).pdf | 357,3Kb | Accés restringit |