Surface passivation of crystalline silicon by Cat-CVD amorphous and nanocrystalline thin silicon films
Visualitza/Obre
1-s2.0-S0040609003001305-main.pdf (103,0Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1016/S0040-6090(03)00130-5
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/113058
Tipus de documentArticle
Data publicació2003-05
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this work, we study the electronic surface passivation of crystalline silicon with intrinsic thin silicon films deposited by Catalytic CVD. The contactless method used to determine the effective surface recombination velocity was the quasi-steady-state photoconductance technique. Hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon films were evaluated as passivating layers on n- and p-type float zone silicon wafers. The best results were obtained with amorphous silicon films, which allowed effective surface recombination velocities as low as 60 and 130 cm s-1 on p- and n-type silicon, respectively. To our knowledge, these are the best results ever reported with intrinsic amorphous silicon films deposited by Catalytic CVD. The passivating properties of nanocrystalline silicon films strongly depended on the deposition conditions, especially on the filament temperature. Samples grown at lower filament temperatures (1600 °C) allowed effective surface recombination velocities of 450 and 600 cm s-1 on n- and p-type silicon.
CitacióVoz, C., Martin, I., Orpella, A., Puigdollers, J., Vetter, M., Alcubilla, R., Soler, D., Fonrodona, M., Bertomeu, J., Andreu Batallé, J. Surface passivation of crystalline silicon by Cat-CVD amorphous and nanocrystalline thin silicon films. "Thin solid films", Maig 2003, vol. 430, núm. 1-2, p. 270-273.
ISSN0040-6090
Versió de l'editorhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609003001305
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1-s2.0-S0040609003001305-main.pdf | 103,0Kb | Accés restringit |