Surface passivation of p-type crystalline Si by plasma enhanced vapour deposited amorphous SiCx Films
Visualitza/Obre
1.1404406.pdf (244,3Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/112825
Tipus de documentArticle
Data publicació2001-10
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Excellent passivation properties of intrinsic amorphous silicon carbide (a-SiCx:H) films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on single-crystalline silicon (c-Si) wafers have been obtained. The dependence of the effective surface recombination velocity, Seff, on deposition temperature, total pressure and methane (CH4) to silane (SiH4) ratio has been studied for these films using lifetime measurements made with the quasi-steady-state photoconductance technique. The dependence of the effective lifetime, teff, on the excess carrier density, ¿n, has been measured and also simulated through a physical model based on Shockley–Read–Hall statistics and an insulator/semiconductor structure with fixed charges and band bending. A Seff at the a-SiCx:H/c-Si interface lower than 30¿cm¿s-1 was achieved with optimized deposition conditions. This passivation quality was found to be three times better than that of noncarbonated amorphous silicon (a-Si:H) films deposited under equivalent conditions.
CitacióMartin, I., Vetter, M., Orpella, A., Puigdollers, J., Cuevas, A., Alcubilla, R. Surface passivation of p-type crystalline Si by plasma enhanced vapour deposited amorphous SiCx Films. "Applied physics letters", Octubre 2001, vol. 79, núm. 14, p. 2199-2201.
ISSN0003-6951
Versió de l'editorhttp://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.1404406
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1.1404406.pdf | 244,3Kb | Accés restringit |