On evaluating temperature as observable for CMOS technology variability
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/11126
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2010-05-26
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The temperature at surface of a silicon die depends
on the activity of the circuits placed on it. In this paper, it is
analyzed how Process, Voltage and Temperature (PVT) variations
affect simultaneously some figures of merit (FoM) of some digital
and analog circuits and the power dissipated by such circuits. It is
shown that in some cases, a strong correlation exists between the
variation of the circuit FoM and the variation of the dissipated
power. Since local temperature increase at the silicon surface
close to the circuit linearly depends on dissipated power, the
results show that temperature can be considered as an observable
magnitude for CMOS technology variability monitoring.
CitacióAltet, J. [et al.]. On evaluating temperature as observable for CMOS technology variability. A: European workshop on CMOS Variability. "1st IEEE European Workshop on CMOS Variability". Montpellier: 2010, p. 1-6.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
VARI2010.pdf | Main paper | 212,1Kb | Visualitza/Obre |