Noise model of a reverse-biased Cold-FET applied to the characterization of its ENR
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/1105
Tipus de documentArticle
Data publicació2004-02-28
EditorJOHN WILEY & SONS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents a broadband-noise circuit model for a cold-FET (Vds = 0 V) with a reverse-biased gate. The noise model includes two intrinsic uncorrelated noise-current sources whose spectral densities are determined from measurement of the device's S parameters and noise powers. The model is used to characterize the device's excess noise ratio (ENR) for application to full receiver-noise calibration. Experimental results up to 40 GHz are given.
CitacióMaya, M. C.; Lázaro, A.; Pradell, L. Noise model of a reverse-biased cold-FET applied to the characterization of its ENR. Microwave and optical technology letters, 2004, vol. 40, núm. 4, p. 326-330.
ISSN0895-2477
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
noise model reverse106599546.pdf | 136,5Kb | Visualitza/Obre |