Closed-loop compensation of charge trapping induced by ionizing radiation in MOS capacitors
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/108041
Tipus de documentArticle
Data publicació2017-08-31
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The objective of this work is to explore the capability of a charge trapping control loop to continuously compensate charge induced by ionizing radiation in the dielectric of MOS capacitors. To this effect, two devices made with silicon oxide have been simultaneously irradiated with gamma radiation: one with constant voltage bias, and the other working under a dielectric charge control. The experiment shows substantial charge trapping in the uncontrolled device whereas, at the same time, the control loop is able to compensate the charge induced by gamma radiation in the second device.
CitacióDominguez, M., Bheesayagari, C., Gorreta, S., Lopez -Chavez, G., Pons, J. Closed-loop compensation of charge trapping induced by ionizing radiation in MOS capacitors. "IEEE transactions on industrial electronics", 31 Agost 2017, vol. 65, num. 3, p. 2518-2524
ISSN0278-0046
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/document/8023818/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
08023818.pdf | 789,3Kb | Visualitza/Obre |