Exploring the voltage divider approach for accurate memristor state tuning
Visualitza/Obre
Article principal (755,5Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/LASCAS.2017.7948043
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/107035
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2017
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The maximum exploitation of the favorable properties and the analog nature of memristor technology in future nonvolatile resistive memories, requires accurate multilevel programming. In this direction, we explore the voltage divider (VD) approach for highly controllable multi-state SET memristor tuning. We present the theoretical basis of operation, the main advantages and weaknesses. We finally propose an improved closed-loop VD SET scheme to tackle the variability
effect and achieve <1% tuning precision, on average 3× faster
than another accurate tuning algorithm of the recent literature.
CitacióVourkas, I., Gomez, J., Abusleme, A., Vasileiadis, N., Sirakoulis, G., Rubio, A. Exploring the voltage divider approach for accurate memristor state tuning. A: Latin American Symposium on Circuits and Systems. "2017 IEEE 8th Latin American Symposium on Circuits & Systems (LASCAS 2017): Bariloche, Argentina: 20-23 February 2017". Bariloche: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017, p. 1-4.
ISBN978-1-5090-5859-4
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/document/7948043/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
LASCAS2017.pdf | Article principal | 755,5Kb | Accés restringit |