Statistical characterization and modeling of random telegraph noise effects in 65nm SRAM cells
Visualitza/Obre
Article principal (1,299Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/107030
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2017
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Random Telegraph Noise (RTN) effects are investigated in 65nm SRAM cells by using a new characterization method that provides
a significant measurement time reduction. The variability induced in commercial SRAM cells is derived by applying statistical and
physics based Montecarlo modeling to the experimental data. Results show that RTN can have a significant impact on the memory
write operations and should therefore be taken into account during the memory design phase
CitacióMartinez, J., Rodriguez, R., Nafria, M., Torrents, G., Bota, S.A., Segura, J., Moll, F., Rubio, A. Statistical characterization and modeling of random telegraph noise effects in 65nm SRAM cells. A: International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design. "SMACD 2017: 14th International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design: 12th-15th June 2017: Giardini Naxos, Taormina, Itlaly". Giardini Naxos, Taormina: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2017, p. 1-4.
ISBN978-1-5090-5052-9
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/7981610/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
SMACD.pdf | Article principal | 1,299Mb | Accés restringit |