Simulations and analysis of beam quality improvement in spatially modulated broad area edge-emitting devices
Visualitza/Obre
SPIE proceedings (1,067Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/105951
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2014
EditorInternational Society for Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We simulate and analyze how beam quality improves while being amplified in edge emitting broad area semiconductor amplifiers with a periodic structuring of the electrical contacts, in both longitudinal and lateral directions. A spatio-temporal traveling wave model is used for simulations of the dynamics and nonlinear interactions of the optical fields, induced polarizations and carrier density. In the case of small beam amplification, the optical field can be expanded into few Bloch modes, so that the system is described by a set of ODEs for the evolution of the mode amplitudes. The analysis of such model provides a deep understanding of the impact of the different parameters on amplification and on spatial (angular) filtering of the beam. It is shown that under realistic parameters the two-dimensional modulation of the current can lead not only to a significant reduction of the emission divergence, but also to an additional amplification of the emitted field
CitacióRadziunas, M., Herrero, R., Botey, M., Staliunas, K. Simulations and analysis of beam quality improvement in spatially modulated broad area edge-emitting devices. A: Semiconductor Lasers and Laser Dynamics. "Proccedings SPIE9134, Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VI". Brussel·les: International Society for Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), 2014, p. 1-8.
ISBN978-162841082-2
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
radziunasSPIEproc2014.pdf | SPIE proceedings | 1,067Mb | Accés restringit |