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dc.contributorAsensi López, José Miguel
dc.contributor.authorRoldán Molinero, Rubén
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament de Ciència dels Materials i Enginyeria Metal·lúrgica
dc.date.accessioned2013-11-25T18:11:08Z
dc.date.available2013-11-25T18:11:08Z
dc.date.issued2013-05
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2099.1/19812
dc.description.abstractEl principal objetivo del proyecto consiste en optimizar las condiciones de depósito de silicio amorfo y micro-cristalino en un nuevo reactor de depósito químico en fase vapor activado por filamento caliente (HWCVD). El proceso de optimización se realizará empleando el mínimo número de depósitos y caracterizaciones. Para ello, se realizarán una serie de depósitos, que denominaremos series tecnológicas, y caracterizaremos el conjunto mínimo de propiedades estructurales y optoelectrónicas que definen el estado del arte del silicio amorfo y microcristalino hidrogenado intrínseco de uso en células solares. Concretamente, se hará uso de las técnicas de espectroscopía Raman e infrarroja por transformada de Fourier para determinar las propiedades estructurales, y de las técnicas de espectroscopía de deflexión fototérmica y medidas de resistencia eléctrica para determinar el resto de propiedades optoelectrónicas. Se ha determinado que las mejores condiciones para el depósito de material amorfo son: temperatura de substrato Tsa= 200ºC, flujo de silano fa= 200 sccm, presión Pa=5.00·10-2 mbar, dilución de hidrógeno-Ha=94% y las condiciones óptimas para el depósito de material microcristalino: Tsmc= 200ºC, fmc= 50 sccm, Hmc=94%, Pmc = 8.0·10-2 mbar. Sin embargo, el material depositado en estas condiciones unas propiedades estructurales ni ópticas óptimas. La gran contribución de los modos Si-Hn localizados en 2070 y 2090 cm-1, obervados en las medidas de transmitancia infrarroja, y la elevada energía de Urbach, obervadas en las medidas de deflexión fototérmica, predicen la probable existencia de una concentración importante de defectos en el material. Al no detectar una variación significativa de las propiedades del material obtenido en las series de depósitos realizadas, se concluye que, muy probablemente, los principales factores que influyen en la calidad del material son las líneas de gases y la limpieza del sistema. Para resolver estos inconvenientes, actualmente se están instalando nuevas líneas en la sala blanca de la Facultad de Física y se está desarrollando un sistema de limpieza con hidrógeno atómico.
dc.language.isospa
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria dels materials::Assaig de materials::Assaigs estructurals
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria química::Indústria dels processos químics::Reactors químics
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria química::Química física::Termoquímica
dc.subject.lcshSilicon crystals -- Structure
dc.subject.lcshChemical vapor deposition
dc.subject.lcshChemical reactors
dc.titlePropiedades del Silicio Amorfo y Microcristalino (Estudio para la optimización de las condiciones de depósito en un reactor de HWCVD)
dc.typeMaster thesis (pre-Bologna period)
dc.subject.lemacCristalls de silici -- Estructura
dc.subject.lemacDeposició química en fase vapor
dc.subject.lemacReactors químics
dc.rights.accessOpen Access
dc.audience.educationlevelEstudis de primer/segon cicle
dc.audience.mediatorEscola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona
dc.audience.degreeENGINYERIA DE MATERIALS (TITULACIÓ CONJUNTA AMB LA UB) (Pla 2003)


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