DSpace DSpace UPC
  Pàgina principal | Llistar continguts | Cerca avançada | Com participar-hi Català   Castellano   English  


Títol: ZnO/PbS quantum dot photovoltaics for heterojunction and bulk nano-heterojunction architectures
ZnO/PbS quantum dot heterojunction photovoltaics
Heterouniones fotovoltaicas de ZnO/PbS nanocristalinos
Heterojuncions fotovoltaiques de ZnO/PbS nanocristal·lins
Autor: Chouhan, Ariana
Altres autors/autores: Stavrinadis, Alexandros; Konstantatos, Gerasimos; Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Òptica i Optometria
Editorial: Universitat Politècnica de Catalunya
Matèries: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica i telecomunicacions::Telecomunicació òptica::Fotònica
Nanoparticles
Solar cells
Quantum dots
Semiconductor nanocrystals
quantum dot photovoltaics
heterojunction
ZnO
PbS
heterouniones
fotovoltaicas
nanocristalinos
nanoestructures -- propietats òptiques
Nanopartícules
Cèl·lules solars
Punts quàntics
Nanocristalls semiconductors
Tipus de document: Master thesis
Descripció: [ANGLÈS] Recent work based on photovoltaic heterojunction devices consisting of n-type ZnO and p-type PbS is developed. We demonstrate that the PbS/metal electrode interface does not necessarily form a Shottky barrier which is confirmed by a device ideality factor of 1.85 ? consistent with a single diode model. We believe planar heterojunction architectures impose an efficiency limit based on the low contact area between interfacial layers and have thus developed recent work that introduced the bulk nano-heterojunction ? a facile method for mixing p and n type colloidal quantum dots together in solution. Devices are based on n-type ZnO and p-type PbS which exhibit open circuit voltages as high as 0.76 V.
[CASTELLÀ] Este trabajo de investigación está centrado en la mejora de los celdas solares basadas en heterouniones entre láminas delgadas a partir de nanocristales de ZnO (tipo n) y PbS (tipo p). Los factores de idealidad obtenidos a partir de la caracterización eléctrica de los dispositivos (1,85) indican que el film de PbS coloidal no forma necesariamente un contacto tipo Shottky con el electrodo metálico, en acuerdo con el modelo de diodo único. El diseño actual de este tipo de heterouniones planas impone un límite en la eficiencia de los dispositivos y por ello en el presente trabajo proponemos el uso de heterouniones en volumen. Este tipo de uniones se fabrican fácilmente a partir de mezclas de nanocristales de ZnO y PbS en disolución. Los dispositivos fabricados con este tipo de heterounión exhiben voltajes en circuito abierto de hasta 0,76 V.
[CATALÀ] Estudis recents basats en dispositius fotovoltaics d'heterojuncions que consisteixen en ZnO de tipus n i PbS de tipus p. Hem demostrat que la interfície entre el PbS i l'electrode de metall no forma necessàriament una barrera Shottky. Això és confirmat per un dispositiu d'un factor idealment de 1,85, consistent amb el model d'un díode simple. Creiem que les arquitectures planars imposen una limitació en l'eficiència basada en la poca àrea de contacte entre les capes interficials. El disseny actual d'aquest tipus d'heterojuncions planes imposa un límit a l'eficiència dels dispositius i per això en el present treball proposem l'ús d'heterojuncions en volum. Dispositius basats en ZnO de tipus n i PbS de tipus p mostren uns voltatges de circuit obert de 0,76 V.
Altres identificadors i accés: http://hdl.handle.net/2099.1/16192
ETSETB-230.81317
Disponible al dipòsit:Treballs acadèmics UPC
Comparteix:


SFX Query

Tots els ítems dipositats a UPCommons estan protegits per drets d'autor.

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius