DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/999

Arxiu Descripció MidaFormat
direct identification 00785034.pdf376,62 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Puig, T; Obradors, X; Martinez, B; Sandiumenge, F; O'Callaghan, J; Rabier, J. Direct identification of extended defects as vortex pinning centers in melt textured YBa2Cu3O7-Y2BaCuO5 composites. IEEE Transactions on applied superconductivity, 1999, vol. 9, núm. 2, p. 2663-2666
Títol: Direct identification of extended defects as vortex pinning centers in melt textured YBa2Cu3O7-Y2BaCuO5 composites
Autor: Puig, T.; Obradors i Berenguer, Francesc Xavier Veure Producció científica UPC; Martínez, B.; Sandiumenge, F.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel Veure Producció científica UPC; Rabier, J.
Editorial: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Data: 1998
Tipus de document: Article
Resum: Single domain YBa2Cu3O7-Y2BaCuO5 melt textured ceramic composites have revealed a very rich microstructure, which has usually impeded, by using standard measurements, to evaluate the contribution of each defect to the enhancement of the critical current. We have measured the inplane magnetoresistance anisotropy and the anisotropic in-plane inductive critical currents and we show that together with the microstructural TEM analysis, the contribution of the different extended pinning centers can be separated. These results have allowed us to infer the kind of microstructure modifications required to improve the critical current. In particular, we present an isostatic pressing deformation technique as a very promising post-processing treatment to strongly increase the critical currents of these composites.
ISSN: 1051-8223
URI: http://hdl.handle.net/2117/999
Apareix a les col·leccions:RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius