|
|
E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/9902
|
Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial
| Arxiu |
Descripció |
Mida | Format |
|---|
| StudyofEmitter.pdf | | 513.72 kB | Adobe PDF |  |
|
| Citació: | Schröter, M.; Lopez, J. Study of emitter width effects on BF, fT and fmax of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation. "Semiconductor science and technology", Novembre 2009, vol. 24, núm. 11, p. 1-8. |
| Títol: | Study of emitter width effects on BF, fT and fmax of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation |
| Autor: | Schröter, Michael; López González, Juan Miguel  |
| Data: | nov-2009 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | This paper studies the effect of emitter width on the dc current gain, βF , and ac figures of merit,
cut-off frequency, f T, and maximum oscillation frequency, f max, of realistic structures for
200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) using two-dimensional drift-diffusion
(DD), hydrodynamic (HD) and energy balance (EB) simulations. The carrier transport models
used are briefly presented. The SiGe-HBTs studied have a base thickness of 15 nm. Results of
the three transport models are shown and analyzed, for the different emitter geometries.This paper studies the effect of emitter width on the dc current gain, βF , and ac figures of merit,
cut-off frequency, f T, and maximum oscillation frequency, f max, of realistic structures for
200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) using two-dimensional drift-diffusion
(DD), hydrodynamic (HD) and energy balance (EB) simulations. The carrier transport models
used are briefly presented. The SiGe-HBTs studied have a base thickness of 15 nm. Results of
the three transport models are shown and analyzed, for the different emitter geometries. |
| ISSN: | 0268-1242 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/9902 |
| Versió de l'editor: | 10.1088/0268-1242/24/11/115005 |
| Apareix a les col·leccions: | Altres. Enviament des de DRAC
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
