DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/990

Arxiu Descripció MidaFormat
magnetic field sensitivity.pdf854,79 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Davidson, B. A.; Redwing, R. D.; Nguyen, T.; O'Callaghan, J. M.; Raissi, F.; Lee, J. V.; Bruke, J. P.; Hohenwarter, G. K. G.; Nordman, J. E.; Beyer, J. B.; Magnetic fields sensitivity of variable thickness microbridges in TBCCO, BSCCO and YBCO. IEEE Transactions on applied superconductivity, 1994, vol. 4, núm. 4, p. 228-235.
Títol: Magnetic field sensitivity of variable thickness microbridges in tbcco, bscco and ybco.
Autor: Davidson, B. A.; Redwing, R. D.; Nguyen, T. D.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel Veure Producció científica UPC; Raissi, F.; Lee, J. V.; Bruke, J. P.; Hohenwarter, G. K. G.; Nordman, J. E.; Beyer, J. B.
Editorial: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Data: 1994
Tipus de document: Article
Resum: We describe results of a study comparing the magnetic field sensitivities of variable thickness bridge (VTB) arrays fabricated in TBCCO, BSCCO, and YBCO thin films. Identical structures were patterned in a variety of films, and the bridges were thinned by four different methods. Analysis of the data yields experimental evidence as to the suitability of these types of films for devices such as the superconducting flux flow transistor (SFFT) which is based on this geometry. The volt-ampere characteristics of the arrays were measured in low uniform magnetic fields (⩽130 G) and in nonuniform fields (⩽5 G) produced by a nearby control line. For these films in this geometry, no measurable effect of the control line magnetic field was observed. Large values of transresistance and current gain could only be attained through a thermal mechanism when the control line was driven normal. Upper bounds for (magnetically generated) transresistance (⩽5 mΩ) and current gains (⩽0.005) have been inferred from the uniform field data assuming a standard best-case device geometry. All volt-ampere curves followed closely a power law relationship (V~I n), with exponent n ~1.2-10. We suggest materials considerations that may yield improved device performance
ISSN: 1051-8223
URI: http://hdl.handle.net/2117/990
Apareix a les col·leccions:RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius