DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/7803

Arxiu Descripció MidaFormat
getPDF.pdfArticle principal1,52 MBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Rodríguez, R. [et al.]. Localization and Electrical Characterization of Interconnect Open Defects. "IEEE transactions on semiconductor manufacturing", Febrer 2010, vol. 23, núm. 1, p. 65-76.
Títol: Localization and Electrical Characterization of Interconnect Open Defects
Autor: Rodríguez Montañés, Rosa Veure Producció científica UPC; Arumi Delgado, Daniel Veure Producció científica UPC; Figueras Pàmies, Joan Veure Producció científica UPC; Beverloo, Willem; Vries, Dirk K. de; Eichenberger, Stefan; Volf, Paul A. J.
Data: feb-2010
Tipus de document: Article
Resum: A technique for extracting the electrical and topological parameters of open defects in process monitor lines is presented. The procedure is based on frequency-domain measurements performed at both end points of the line. The location as well as the resistive value of the open defect are derived from attenuation and phase shift measurements. The characteristic defect-free impedance of the line and its propagation constant are considered to be unknowns, and their values are also derived from the above measurements. In this way, the impact of process parameter variations on the proposed model is diminished. The experimental setup required to perform the characterization measurements and a simple graphical procedure to determine the defect and line parameters are presented. Experimental results show a good agreement between the predicted location of the open and its real location, found by optical beam induced resistance change inspection. Errors smaller than 2% of the total length of the line have been observed in the experiments.
ISSN: 0894-6507
URI: http://hdl.handle.net/2117/7803
Versió de l'editor: http://sauwok.fecyt.es/apps/InboundService.do?product=CCC&action=retrieve&SrcApp=EndNoteWeb&UT=000274212900008&SID=P2LEGFKnEeCLg1ENIBo&SrcAuth=ISIResearchSoft&mode=FullRecord&customersID=ISIResearchSoft&DestFail=http://access.isiproducts.com/custom_images/wok_failed_auth.html
Apareix a les col·leccions:QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Departament de Disseny i Programació de Sistemes Electrònics. Articles de revista
Altres. Enviament des de DRAC
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius