|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/741
|
| Citació: | Lazaro, A.; Pradell, L.; Beltran, A.; O'Callaghan, J.M. Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 Ω noise figure measurements. Electronics Letters, 1998, vol.34, núm.3, p.289-291. ISSN:0013-5194 |
| Títol: | Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements |
| Autor: | Lázaro Guillén, Antoni ; Pradell i Cara, Lluís ; Beltrán, A.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel  |
| Editorial: | IEE |
| Data: | 5-feb-1998 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | A new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C11INT, C22INT, Re(C12INT), Im(C12INT)) by fitting the measured device noise figure for a matched source reflection coefficient (F50) at a number of frequency points. In contrast to previous works, no restrictive assumptions are made on the intrinsic noise sources. |
| ISSN: | 0013-5194 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/741 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|