|
E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/6718
|
| Citació: | Orpella, A. [et al.]. N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiCxNy:H(n) stacks. A: Spanish Conference on Electronics Devices. "7th Spanish Conference on Electronic Devices". Santiago de Compostela: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, p. 357-359. |
| Títol: | N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiCxNy:H(n) stacks |
| Autor: | Orpella García, Alberto  ; Blanqué, Servane ; Roiati, V.; Martín García, Isidro ; Voz Sánchez, Cristóbal ; Puigdollers i González, Joaquim ; Alcubilla González, Ramón |
| Editorial: | IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| Data: | 11-feb-2009 |
| Tipus de document: | Conference report |
| Resum: | This paper studies the passivation of industrially textured deep silicon emitters using amorphous silicon carbonitride layers in stack configuration, deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. With this technique, emitter saturation current density can be decreased to values around 250 fA middot cm-2. As a consequence, open circuit voltages can be increased 25 mV achieving values around 640 mV. |
| ISBN: | 978-1-4244-2839-7 |
| Dipòsit legal: | IEEE |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/6718 |
| Versió de l'editor: | 10.1109/SCED.2009.4800506 |
| Apareix a les col·leccions: | Altres. Enviament des de DRAC
Departament d'Enginyeria Electrònica. Ponències/Comunicacions de congressos
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Ponències/Comunicacions de congressos
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
