DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/671

Arxiu Descripció MidaFormat
Fet noise-parameter.pdf364,48 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Lazaro, A.; Pradell, L.; O'Callaghan, J.M. FET noise-parameter determination using a novel technique based on 50-Ω noise-figure measurements. IEEE Transactions on microwave theory and techniques, 1999, vol.47, issue 3, p. 315-324
Títol: Fet noise-parameter determination using a novel technique based on 50 noise measurements
Autor: Lázaro Guillén, Antoni Veure Producció científica UPC; Pradell i Cara, Lluís Veure Producció científica UPC; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel Veure Producció científica UPC
Editorial: IEEE
Data: 1999
Tipus de document: Article
Resum: A novel method for measuring the four noise parameters of a field-effect transistor (FET) is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements [C11INT, C22INT, Re(C12 INT), Im(C12INT)] by fitting the measured device noise figure for a matched source reflection coefficient (F50) at a number of frequency points, thus, a tuner is not required. In contrast to previous works, no restrictive assumptions are made on the intrinsic noise sources. The receiver full-noise calibration is easily performed by using a set of coaxial and on-wafer standards that are commonly available in a microwave laboratory, thus, an expensive broad-band tuner is not required for calibration either. On-wafer experimental verification up to 26 GHz is presented and a comparison with other F50-based and tuner-based methods is given. As an application, the dependence of the FET intrinsic noise sources as a function of the bias drain-current and gate-length is obtained.
ISSN: 0018-9480
URI: http://hdl.handle.net/2117/671
Apareix a les col·leccions:RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius