Radio-Frequency Performance of Carbon Nanotube-Based Devices and Circuits Considering Noise and Process Variation
Visualitza/Obre
Article principal (724,2Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/27906
Tipus de documentArticle
Data publicació2014-03-01
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
This paper provides a global overview of the radiofrequency (RF) performance potential of carbon-nanotube field-effect transistors (CNFET), which for the first time includes the impact of noise. We develop noise and manufacturing process variability extensions for the Stanford CNFET compact model, implemented in Verilog-A and compatible with conventional circuit simulators. CNFET figures-of-merit (FoM) are determined both on the device and on the circuit level. Compared to silicon technology, CNFET devices show much better performance in terms of most of the RF-CMOS requirements of the International Technology Roadmap for Semiconductors. FoM projections for basic RF building blocks (low-noise amplifier and oscillator) show that good performance can already be obtained with simple circuit topologies. The main advantage of CNFET circuits yet lies in easily reaching operation frequencies of several hundreds of gigahertz, which are hard to be exploited by silicon technologies at similar technology nodes.
CitacióLandauer, G.M.; Gonzalez, J.L. Radio-Frequency Performance of Carbon Nanotube-Based Devices and Circuits Considering Noise and Process Variation. "IEEE transactions on nanotechnology", 01 Març 2014, vol. 13, núm. 2, p. 228-237.
ISSN1536-125X
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6702460
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
radiofrequency.pdf | Article principal | 724,2Kb | Accés restringit |