Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance

doi:10.1109/MWSYM.2008.4633288


Català Castellano English

	Pàgina d'inici
	Estadístiques d'ús

Llistar
	Comunitats
	Títol
	Autor
	Data
	Matèria
	Àrees temàtiques de la UPC

Serveis
	Alertes
	El meu E-prints UPC usuaris autoritzats
	Editar perfil
	Entrada usuaris no UPC



	Sobre DSpace

	Bibliotècnica: la biblioteca digital de la UPC

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Ponències/Comunicacions de congressos >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/2618

Arxiu	Descripció	Mida	Format
Collado.pdf		546.75 kB	Adobe PDF	Veure/Obrir

Citació:	Rocas, E; Collado, C; Mateu, J; Campanella, H; O'Callaghan, J.M. Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2008, Atlanta,GA, USA, p. 1259-1268.
Títol:	Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance
Autor:	Rocas Cantenys, Eduard ; Collado Gómez, Juan Carlos ; Mateu Mateu, Jordi ; Campanella, Humberto; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Editorial:	IEEE
Data:	jun-2008
Tipus de document:	Conference lecture
Resum:	This paper presents recent measurements and modeling of the third order intermodulation products of a Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR), for a various values of frequency spacing between driving tones. The frequency dependence of voltage and current in the acoustic branch rules out a voltage-dependent nonlinearity. The results show different slopes at resonance and antiresonance, which are correctly adjusted by the model with a current dependent inductor and/or capacitor. The intermodulation distortion is found to be dependent on the frequency spacing between driving tones, indicating memory effects.
ISBN:	978-1-4244-1780-3
ISSN:	0149-645X
URI:	http://hdl.handle.net/2117/2618
Versió de l'editor:	10.1109/MWSYM.2008.4633288
Apareix a les col·leccions:	Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Ponències/Comunicacions de congressos RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Ponències/Comunicacions de congressos
Comparteix:

Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).

Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu