A critical analysis on the role of back surface passivation for a-Si/c-Si heterojunction solar cells
Visualitza/Obre
06925426.pdf (480,3Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/26149
Tipus de documentComunicació de congrés
Data publicació2014
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Back surface passivation is a well-known method to reduce carrier recombination and hence improves the efficiency of crystalline silicon solar cells. In this manuscript, we critically analyze the role of this process for a-Si/c-Si heterojunction solar cells through a combination of device fabrication, multiple characterization techniques, and modeling. Curiously, our experimental results indicate that dark current characteristics of these devices do not scale in accordance with the improvements in carrier lifetime achieved through back surface passivation. Our results indicate these puzzling experimental results could be due to the possibility that carrier injection from crystalline silicon base significantly contributes to the dark current of these devices. This result has obvious and significant implications towards understanding the device physics and efficiency optimization of a-Si/c-Si heterojunction devices.
CitacióChatterji, N. [et al.]. A critical analysis on the role of back surface passivation for a-Si/c-Si heterojunction solar cells. A: IEEE Photovoltaic Specialists Conference. "2014 IEEE 40th Photovoltaic Specialist Conference (PVSC)". Denver, Colorado: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2014, p. 2456-2458.
ISBN978-147994398-2
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
06925426.pdf | 480,3Kb | Accés restringit |