Post-Bond test of through-silicon vias with open defects
Visualitza/Obre
post bond.pdf (766,4Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/24629
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2014
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Through Silicon Vias (TSVs) are critical elements in three dimensional integrated circuits (3-D ICs) and are susceptible to undergo defects at different stages: during their own fabrication, the bonding stage or during their life time. Typical defects are microvoids, underfilling, misalignement,
pinholes in the oxide or misalignments during bonding in such a way that resistive opens become a frequent failure mechanism affecting TSVs. Although there is considerable research effort dedicated to improve TSVs testing, no much attention has been paid to weak defects, especially to weak open defects (resistive opens) causing small delays. In this work, a testing strategy is proposed to detect small delay defects by means of a post-bond oscillation test. Variations in the Duty Cycle of transmitted signals after unbalanced logic gates are shown to detect weak open defects in TSVs. HSPICE simulations including process parameter variations show the effectiveness of the method in the detection of weak open defects above 1 kO.
CitacióRodriguez, R.; Arumi, D.; Figueras, J. Post-Bond test of through-silicon vias with open defects. A: IEEE European Test Symposium. "PROCEEDINGS 19TH IEEE EUROPEAN TEST SYMPOSIUM". Paderborn: 2014, p. 1-6.
ISBN978-1-4799-3414-0
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6847816
Col·leccions
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos [60]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos [78]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.714]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
post bond.pdf | 766,4Kb | Accés restringit |