DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/2457

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Ferre.pdf316,37 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Ferré, T.; Martín, I.; Ortega, P.; Vetter, M.; Torres, I.; Alcubilla, R. n-type emitter surface passivation in c-Si solar cells by means of antireflective amorphous silicon carbide layers. Journal of Applied Physics, 2006, vol. 100, 073703.
Títol: n-type emitter surface passivation in c-Si solar cells by means of antireflective amorphous silicon carbide layers
Autor: Ferré Tomas, Rafel Veure Producció científica UPC; Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael Veure Producció científica UPC; Vetter, Michael Veure Producció científica UPC; Torres, I.; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Editorial: American Institute of Physics
Data: 8-jun-2006
Tipus de document: Article
Resum: Emitter saturation current densities (JOe) of phosphorus-diffused planar c-Si solar cell emitters passivated by silicon carbide (SiCx) layers have been determined in a wide sheet resistance range (20-500 Ω/sp). Phosphorus diffusions were performed using solid planar diffusion sources without employing any drive-in step. Stacks of two SiCx layers were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition: first a thin silicon rich layer with excellent passivating properties and then an antireflective carbon rich layer. The thickness of the passivating layer was optimized, reaching a trade-off between the better passivation achieved for thicker layers and the increased light absorption within the layer, which reduced the photocurrent. The surface recombination velocity and the optical losses were determined for each configuration and used to calculate photovoltaic conversion efficiency limits for 50 and 90 Ω/sp emitters. In both cases, optimum configuration is for the stacks with passivating layers that are about 8 nm thick.
ISSN: 0021-8979
URI: http://hdl.handle.net/2117/2457
DOI: 10.1063/1.2354323
Apareix a les col·leccions:MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius