DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/2445

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Martin.pdf622,34 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Garín, M.; Mrtín, I.; Bermejo, S.; Alcubilla, R. Fixed charge density in dielectrics deposited on c-Si using space charge region dominated lifetime measurements. A: Journal of Applied Phyics, 2007, vol. 101, 123716.
Títol: Fixed charge density in dielectrics deposited on c-Si using space charge region dominated lifetime measurements
Autor: Garin Escriva, Moises Veure Producció científica UPC; Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Bermejo Broto, Sandra Veure Producció científica UPC; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Editorial: American Institute of Physics
Data: 9-jun-2006
Tipus de document: Article
Resum: Depletion region modulation (DRM) effect is often observed in photoconductance lifetime measurements of crystalline silicon wafers passivated by dielectric films. This effect is closely related to the space-charge region electrostatically induced by fixed charges within the dielectric. This study proposes a model for dielectric-passivated c-Si wafers, which includes the DRM effect, to simulate and fit the effective lifetime vs excess minority carrier density curves obtained by quasisteady-state photoconductance techniques. The validity of the model is checked by applying it to different experimental samples, taking particular care of the mobility values of the surface carriers. It is, thus, demonstrated that the fixed charge within the dielectric film can be determined with improved accuracy and increased reliability if the DRM effect is included into the model.
ISSN: 0021-8979
URI: http://hdl.handle.net/2117/2445
DOI: 10.1063/1.2748355
Apareix a les col·leccions:MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius