DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/2441

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Marsal.pdf76,16 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Marsal, L.F.; Martín, I.; Pallarés, J.; Orpella, A.; Alcubilla, R. Annealing effects on the conduction mechanisms of p+-amorphous- Si0.8C0.2:H/n-crystalline-Si diodes. A: Journal of Applied Physics, 2003, v.94, p.2622-2626.
Títol: Annealing effects on the conduction mechanisms of p+-amorphous- Si0.8C0.2:H/n-crystalline-Si diodes
Autor: Marsal Garví, Lluís F.; Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Pallarés Marzal, Josep; Orpella García, Alberto Veure Producció científica UPC; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Editorial: American Institute of Physics
Data: 24-mar-2003
Tipus de document: Article
Resum: P1-type hydrogenated amorphous silicon–carbon (a-Si12xCx :H) on n-type crystalline silicon (c-Si) heterojunction diodes were fabricated and characterized electrically. The effects of thermal annealing on the electrical transport properties of a-Si0.8C0.2 :H/c-Si diodes were investigated by measuring their current–voltage characteristics. From the dark current–voltage characteristics measured at different temperatures (298–373 K), transport mechanisms were analyzed in detail. Two carrier transport mechanisms were found to be the origin of forward current. At low bias voltage and temperatures above 320 K as-deposited diodes are dominated by recombination currents on the amorphous side of the space charge region whereas annealed diodes are mainly dominated by diffusion mechanisms. In contrast, at temperatures below 320 K, both types of diodes are mainly dominated by multitunneling capture emission. At higher voltages, the current becomes space charge limited for both diodes throughout the temperature range studied.
ISSN: 0021-8979
URI: http://hdl.handle.net/2117/2441
DOI: 10.1063/1.1591073
Apareix a les col·leccions:MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius