|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/2440
|
Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial
| Arxiu |
Descripció |
Mida | Format |
|---|
| Orpella.pdf | | 62.36 kB | Adobe PDF |  |
|
| Citació: | Martín, I.; Vetter, M.; Orpella, A.; Voz, C.; Puigdollers, J.; Alcubilla, R.; Kharchenko, A.V.; Roca, P. Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment. A: Applied Physics Letters, 2004, v. 89, p. 1474-1746. |
| Títol: | Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment |
| Autor: | Martín García, Isidro  ; Vetter, Michael ; Orpella García, Alberto ; Voz Sánchez, Cristóbal ; Puigdollers i González, Joaquim ; Alcubilla González, Ramón ; Kharchenko, A.V.; Roca i Cabarrocas, Pere |
| Editorial: | American Institute of Physics |
| Data: | 16-oct-2003 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | A completely dry low-temperature process has been developed to passivate 3.3 Ωcm p-type
crystalline silicon surface with excellent results. Particularly, we have investigated the use of a
hydrogen plasma treatment, just before hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiCx:H)
deposition, without breaking the vacuum. We measured effective lifetime, Τ eff , through a
quasi-steady-state photoconductance technique. Experimental results show that hydrogen plasma
treatment improves surface passivation compared to classical HF dip. Seff values lower than 19
cm s -1 were achieved using a hydrogen plasma treatment and an a-SiCx:H film deposited at 300°C. |
| ISSN: | 0003-6951 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/2440 |
| Versió de l'editor: | 10.1063/1.1647702 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
