DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/2440

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Orpella.pdf62.36 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Martín, I.; Vetter, M.; Orpella, A.; Voz, C.; Puigdollers, J.; Alcubilla, R.; Kharchenko, A.V.; Roca, P. Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment. A: Applied Physics Letters, 2004, v. 89, p. 1474-1746.
Títol: Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment
Autor: Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Vetter, Michael Veure Producció científica UPC; Orpella García, Alberto Veure Producció científica UPC; Voz Sánchez, Cristóbal Veure Producció científica UPC; Puigdollers i González, Joaquim Veure Producció científica UPC; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC; Kharchenko, A.V.; Roca i Cabarrocas, Pere
Editorial: American Institute of Physics
Data: 16-oct-2003
Tipus de document: Article
Resum: A completely dry low-temperature process has been developed to passivate 3.3 Ωcm p-type crystalline silicon surface with excellent results. Particularly, we have investigated the use of a hydrogen plasma treatment, just before hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiCx:H) deposition, without breaking the vacuum. We measured effective lifetime, Τ eff , through a quasi-steady-state photoconductance technique. Experimental results show that hydrogen plasma treatment improves surface passivation compared to classical HF dip. Seff values lower than 19 cm s -1 were achieved using a hydrogen plasma treatment and an a-SiCx:H film deposited at 300°C.
ISSN: 0003-6951
URI: http://hdl.handle.net/2117/2440
DOI: 10.1063/1.1647702
Apareix a les col·leccions:MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius