DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/2439

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Vetter.pdf74,79 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Ferre, R.; Martín, I.; Vetter, M.; Garín, M.; Alcubilla, R. Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on passivation quantity of crystalline silicon surface. A: Applied Physics Letters, 2005, VOL. 87, 202109.
Títol: Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on passivation quantity of crystalline silicon surface
Autor: Ferré Tomas, Rafel Veure Producció científica UPC; Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Vetter, Michael Veure Producció científica UPC; Garin Escriva, Moises Veure Producció científica UPC; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Editorial: American Institute of Physics
Data: 7-jul-2005
Tipus de document: Article
Resum: Surface passivation of p-type crystalline silicon wafers by means of phosphorus-doped hydrogenated amorphous silicon carbide films [a-SiCx(n):H] has been investigated. Particularly, we focused on the effects of layer thickness on the c-Si surface passivation quality resulting in the determination of the fixed charge density, Qf, within the a-SiCx(n):H film and the fundamental recombination of holes, Sp0. The main result is that surface recombination velocity decreases with film thickness up to 40 nm and then saturates. The evolution of the interface parameters indicates that Qf could be located in a layer less than 10 nm thick. In addition, Sp0 increases with thinner films probably due to different hydrogenation and saturation of interface dangling bonds during forming gas annealing.
ISSN: 0003-6951
URI: http://hdl.handle.net/2117/2439
DOI: 10.1063/1.2130530
Apareix a les col·leccions:MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius