|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/2425
|
Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial
| Arxiu |
Descripció |
Mida | Format |
|---|
| Nadazdy.pdf | | 78.48 kB | Adobe PDF |  |
|
| Citació: | Nadaždy, V.; Durný, R.; Puigdollers, J.; Voz, C.; Cheylan, S.; Gmicová, K. Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films. A: Applied Physics Letters, 2007, vol,. 90, 092112. |
| Títol: | Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films |
| Autor: | Nadaždy, Vojtech; Durný, Rudolf; Puigdollers i González, Joaquim  ; Voz Sánchez, Cristóbal ; Cheylan, Stephanie; Gmucová, K. |
| Editorial: | American Institute of Physics |
| Data: | 20-nov-2006 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | The authors report on a metastable defect observed in pentacene thin films. The defect, which is
characterized by a hole trap at Ev+0.6 eV and attempt-to-escape frequency of 5x1012 s−1, can be
reversibly created/removed under a negative/positive bias voltage applied to the aluminum/
pentacene Schottky diode at room temperature in air. Annealing the sample in vacuum at 360 K
removes the defect and prevents its creation by application of any bias voltage in vacuum.
Considering recent calculations of defects in pentacene the authors assume that the defect is formed
by replacing one of the hydrogen atoms by an oxygen atom (C22 H13 O). |
| ISSN: | 0003-6951 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/2425 |
| Versió de l'editor: | 10.1063/1.2710203 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
