A compact noise model for carbon nanotube FETs
Visualitza/Obre
A compact noise model for carbon nanotube FETs (1,041Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/22161
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2012
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
This paper focuses on the development of a compact noise model for radiofrequency (RF) carbon nanotube field-effect transistors (CNFET). The noise mechanisms in these devices are discussed and the impact of the different noise sources is analyzed. For the RF-CNFET under investigation a mínimum noise figure NFmin = 0.104 dB at 60 GHz is predicted. Our model is usable with conventional circuit simulators, which provides a basis for further investigations on CNFET-based RF Building blocks.
CitacióLandauer, G.M.; Gonzalez, J. A compact noise model for carbon nanotube FETs. A: International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble. "2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG 2012): Grenoble, France: 24-26 September 2012". Grenoble: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2012, p. 53-56.
ISBN9781467317177
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6359993
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
A compact noise model for carbon nanotube FETs.pdf | A compact noise model for carbon nanotube FETs | 1,041Mb | Accés restringit |