A very low distortion high efficiency class-F power amplifier at 900 MHz.
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/21032
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2013
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents a
novel
class
-
F power amplifier
for mobile applications in which with a proper harmonic tuning
structure the need f
or
an
extra fil
tering section is eliminated
. A
class
-
F power
a
mplifier
employing a GaN HEMT device
has
been designed, fabricated and measured
at
900
MHz
. The
fabricated circuit
achieves a
n
excel
lent harmonic
-
suppression
level
and
the
t
otal
h
armonic
distortion
is around
1.2%
. It
overcomes the narrow band performance of class
-
F
power
amplifier
s,
giving
more than 70%
efficiency
over
a
100
MHz
bandwidth
. Experimental results show that the
amplifier is able
to deliver 38.5
dBm
output
power
while
achieving the state
-
of
-
the
-
art
PAE
of 8
0.5
%
with
a peak
drain eff
iciency of
8
4
%
,
and
a
power gain of
13.6
dB
for
an
input power of 25
dBm
. A good
agreement between measurement and simulation results is observed for the proposed structure.
CitacióGilasgar, M.; Barlabe, A.; Pradell, L. A very low distortion high efficiency class-F power amplifier at 900 MHz.. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "XXVIII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio : URSI 2013 : Comunicaciones". Santiago de Compostela: 2013.
Versió de l'editorhttp://www.ursi2013.org/comunicaciones/docs/60.pdf
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
60.pdf | 530,5Kb | Visualitza/Obre |