DC temperature measurements for power gain monitoring in RF power amplifiers
Visualitza/Obre
text complet (571,5Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/17832
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2012
EditorIEEE
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this paper we demonstrate that the steady state temperature increase due to the power dissipated by the circuit under test can be used as observable to test the gain of a 2GHz linear class A Power Amplifier. As a proof of concept, we use two strategies to monitor the temperature: a temperature sensor embedded within the same silicon die, which can be used for a BIST approach, and an Infra Red camera, with applications to failure analysis and product debugging.
CitacióAltet, J. [et al.]. DC temperature measurements for power gain monitoring in RF power amplifiers. A: IEEE International Test Conference. "2012 IEEE International Test Conference (ITC)". Anaheim, CA: IEEE, 2012, p. 1-8.
ISBN978-1-4577-0152-8/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Altet_ITC 2012_DC temperature measurements.pdf | text complet | 571,5Kb | Accés restringit |