Solitary-wave dynamics in extrinsic semiconductors under dc voltage bias
Visualitza/Obre
phy_Rev_B_1993_solitary.pdf (169,5Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/16904
Tipus de documentArticle
Data publicació1993-10-01
EditorAmerican Physical Society
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Numerical-simulation results are presented for a simple drift-diffusion model which describes timedependent
and nonlinear electrical transport properties of extrinsic semiconductors under timeindependent
(dc) voltage bias. Simulations for finite-length samples with Ohmic boundary conditions
yield dynamically stable solitary space-charge waves that travel periodically across the sample. Numerical
estimates of wave speed, the wave size, and onset phenomena are in excellent agreement with recent
experiments in p-type germanium.
CitacióCantalapiedra, I.R.; Bonilla, L.L.; Bergmann, M.J.; Teitsworth, S.W. "Solitary-wave dynamics in extrinsic semiconductors under dc voltage bias". Physical Review B (Condensed Matter), 1993, vol. 48, núm. 16, p. 12278-12281. ISSN:0163-1829
ISSN0163-1829
Versió de l'editorhttp://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.48.12278
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
phy_Rev_B_1993_solitary.pdf | 169,5Kb | Accés restringit |