DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/16135

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Laser processing of Al2O3a-SiCxH stacks a feasible solution for the rear surface of high-efficiency p-type c-Si solar cells.pdf333,26 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Martin, I. [et al.]. Laser processing of Al2O3/a-SiCx:H stacks: a feasible solution for the rear surface of high-efficiency p-type c-Si solar cells. "Progress in photovoltaics", 26 Abril 2012, vol. 20, núm. 4, p. 1-5.
Títol: Laser processing of Al2O3/a-SiCx:H stacks: a feasible solution for the rear surface of high-efficiency p-type c-Si solar cells
Autor: Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael Veure Producció científica UPC; Colina, Monica; Orpella García, Alberto Veure Producció científica UPC; López, Gema; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Data: 26-abr-2012
Tipus de document: Article
Resum: We explore the potential of laser processing aluminium oxide (Al2O3)/amorphous silicon carbide (a-SiCx:H) stacks to be used at the rear surface of p-type crystalline silicon (c-Si) solar cells. For this stack, excellent quality surface passivation is measured with effective surface recombination velocities as low as 2 cm/s. By means of an infrared laser, the dielectric film is locally opened. Simultaneously, part of the aluminium in the Al2O3 film is introduced into the c-Si, creating p+ regions that allow ohmic contacts with low-surface recombination velocities. At optimum pitch, high-efficiency solar cells are achievable for substrates of 0.5–2.5 Ω cm.
ISSN: 1062-7995
URI: http://hdl.handle.net/2117/16135
DOI: 10.1002/pip.2207
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius