DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14767

Arxiu Descripció MidaFormat
9139568.pdf217,82 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Li, B. [et al.]. Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences. A: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis. "Proceedings European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis". 2011.
Títol: Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences
Autor: Li, Binhong; Berbel Artal, Néstor Veure Producció científica UPC; Boyer, A.; BenDhia, S.; Fernández García, Raúl Veure Producció científica UPC
Data: 2011
Tipus de document: Conference report
Resum: This paper presents an original study about the effect of hot carrier injection stress on the DC offsets induced by electromagnetic interferences (EMI) on a nanometric NMOS transistor, which is one of the major sources of failures in analog circuits. Measurements and simulations based on a simple model (Sakurai-Newton model) of fresh and stressed transistors are presented showing significant variations of EMI-induced DC shifts of drain current.
URI: http://hdl.handle.net/2117/14767
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2011.06.010
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa. Ponències/Comunicacions de congressos
Departament d'Enginyeria Electrònica. Ponències/Comunicacions de congressos
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius