Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences
Visualitza/Obre
10.1016/j.microrel.2011.06.010
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/14767
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents an original study about the effect of hot carrier injection stress on the DC offsets induced by electromagnetic interferences (EMI) on a nanometric NMOS transistor, which is one of the major sources of failures in analog circuits. Measurements and simulations based on a simple model (Sakurai-Newton model) of fresh and stressed transistors are presented showing significant variations of EMI-induced DC shifts of drain current.
CitacióLi, B. [et al.]. Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences. A: European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis. "Proceedings European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis". 2011.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
9139568.pdf | 217,8Kb | Visualitza/Obre |