DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14665

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
10.1039_C1JM15037E.pdfEvidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor366,19 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Moreno, C. [et al.]. Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor. "Journal of Material Chemistry", 16 Novembre 2011, vol. 22, p. 345-348.
Títol: Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor
Autor: Moreno Sierra, César Veure Producció científica UPC; Pfattner, Raphael; Mas Torrent, Marta; Puigdollers i González, Joaquim Veure Producció científica UPC; Bromley, Stephan; Rovira, Concepció; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC; Veciana, Jaume
Data: 16-nov-2011
Tipus de document: Article
Resum: Theoretical and experimental investigations combining in situ Kelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon.
URI: http://hdl.handle.net/2117/14665
DOI: 10.1039/C1JM15037E
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius