|
E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/14665
|
Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial
| Arxiu |
Descripció |
Mida | Format |
|---|
| 10.1039_C1JM15037E.pdf | Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor | 366.19 kB | Adobe PDF |  |
|
| Citació: | Moreno, C. [et al.]. Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor. "Journal of Material Chemistry", 16 Novembre 2011, vol. 22, p. 345-348. |
| Títol: | Evidence of intrinsic ambipolar charge transport in a high band gap organic semiconductor |
| Autor: | Moreno Sierra, César  ; Pfattner, Raphael; Mas Torrent, Marta; Puigdollers i González, Joaquim ; Bromley, Stephan; Rovira, Concepció; Alcubilla González, Ramón ; Veciana, Jaume |
| Data: | 16-nov-2011 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | Theoretical and experimental investigations combining in situ Kelvin probe microscopy (KPM) and macroscopic electrical studies are employed to explore the intrinsic transport in dithiophene-tetrathiafulvalene (DT-TTF) single crystal organic field-effect transistors. Our work demonstrates that ambipolar behavior is not restricted only to materials possessing a high electron affinity and thus may be a more general phenomenon. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/14665 |
| Versió de l'editor: | 10.1039/C1JM15037E |
| Apareix a les col·leccions: | Altres. Enviament des de DRAC
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
