DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14608

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Comparison between the density-of-states of picene transistors measured in air.pdf407,25 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Voz, C. [et al.]. Comparison between the density-of-states of picene transistors measured in air and under vacuum. "Synthetic metals", Gener 2012, vol. 161, núm. 23-24, p. 2554-2557.
Títol: Comparison between the density-of-states of picene transistors measured in air and under vacuum
Autor: Voz Sánchez, Cristóbal Veure Producció científica UPC; Marsal, Albert; Moreno Sierra, César Veure Producció científica UPC; Puigdollers i González, Joaquim Veure Producció científica UPC; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Data: gen-2012
Tipus de document: Article
Resum: Picene has recently attracted much attention as the active layer in organic thin-film transistors because of its good performance in air. In this work, we have fabricated picene thin-film transistors that exhibit field-effect mobilities up to 1.3 cm2 V−1 s−1 and on/off ratios above 105 in ambient conditions. These devices have been electrically characterized over the temperature range 300–360 K in air and also under vacuum conditions. In particular, the thermal activation energy of the channel conductance as a function of the gate bias has been measured. The dependence of the activation energy on the gate bias corresponds to a gradual shift of the Fermi level towards the HOMO level as more gap states are filled by trapped holes. The density-of-states can be estimated from the derivative of the activation energy with respect to gate bias. The calculated density-of-states is compared for devices measured in air and under vacuum conditions. These results can help to understand the gas sensing capability of picene, together with its enhanced electrical performance after air exposure.
ISSN: 0379-6779
URI: http://hdl.handle.net/2117/14608
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.synthmet.2011.10.009
Versió de l'editor: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0379677911004498
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius