DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14490

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Ses5B-1.pdfDDECS'11 Carmen García1,28 MBAdobe PDF Accés restringit

Citació: García, C.; Rubio, J. Manufacturing variability analysis in carbon nanotube technology: a comparison with bulk CMOS in 6T SRAM scenario. A: IEEE Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits and Systems. "Proceedings IEEE Design and Diagnosis of Electronic Circuits and Systems". Cottbus: 2011, p. 249-254.
Títol: Manufacturing variability analysis in carbon nanotube technology: a comparison with bulk CMOS in 6T SRAM scenario
Autor: García Almudéver, Carmen Veure Producció científica UPC; Rubio Sola, Jose Antonio Veure Producció científica UPC
Data: 2011
Tipus de document: Conference report
Resum: In silicon bulk CMOS technology the variability of the device parameters is a key drawback that may be a limiting factor for further miniaturizing nodes. New nanoscale beyond-CMOS devices are being studied such as carbon nanotubes (CNTs). The goal of this paper is to evaluate the parameter variability in Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs) and its potential capability to be a promising alternative to Si-CMOS technology. The impact of the carbon nanotube diameter variations as well as the presence of metallic carbon nanotubes in the transistor are analyzed (device level). This variability model is used to make a comparison between Si-MOSFET and CNFET Static Random Access Memory (SRAM) 6T cells (circuit level).
ISBN: 978-1-4244-9754-6
URI: http://hdl.handle.net/2117/14490
DOI: 10.1109/DDECS.2011.5783088
Versió de l'editor: http://ieeexplore.ieee.org/search/srchabstract.jsp?tp=&arnumber=5783088&openedRefinements%3D*%26filter%3DAND%28NOT%284283010803%29%29%26searchField%3DSearch+All%26queryText%3DManufacturing+variability+analysis+in+carbon+nanotube+technology%3A+a+comparison+with+bulk+CMOS+in+6T+SRAM+scenario
Apareix a les col·leccions:HIPICS - High Performance Integrated Circuits and Systems. Ponències/Comunicacions de congressos
Altres. Enviament des de DRAC
Departament d'Enginyeria Electrònica. Ponències/Comunicacions de congressos
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius