Manufacturing variability analysis in carbon nanotube technology: a comparison with bulk CMOS in 6T SRAM scenario
Visualitza/Obre
DDECS'11 Carmen García (1,253Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/14490
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In silicon bulk CMOS technology the variability of the device parameters is a key drawback that may be a limiting factor for further miniaturizing nodes. New nanoscale beyond-CMOS devices are being studied such as carbon nanotubes (CNTs). The goal of this paper is to evaluate the parameter variability in Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs) and its potential capability to be a promising alternative to Si-CMOS technology. The impact of the carbon nanotube diameter variations as well as the presence of metallic carbon nanotubes in the transistor are analyzed (device level). This variability model is used to make a comparison between Si-MOSFET and CNFET Static Random Access Memory (SRAM) 6T cells (circuit level).
CitacióGarcía, C.; Rubio, J. Manufacturing variability analysis in carbon nanotube technology: a comparison with bulk CMOS in 6T SRAM scenario. A: IEEE Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits and Systems. "Proceedings IEEE Design and Diagnosis of Electronic Circuits and Systems". Cottbus: 2011, p. 249-254.
ISBN978-1-4244-9754-6
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Ses5B-1.pdf | DDECS'11 Carmen García | 1,253Mb | Accés restringit |