DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14366

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a.pdf1.43 MBAdobe PDF Accés restringit

Citació: González, J. [et al.]. A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a 1-mW CMOS Direct Conversion Receiver Operating in the 2.4-GHz ISM Band. "IEEE transactions on microwave theory and techniques", Setembre 2011, vol. 59, núm. 9, p. 2318-2330.
Títol: A 16-kV HBM RF ESD Protection Codesign for a 1-mW CMOS Direct Conversion Receiver Operating in the 2.4-GHz ISM Band
Autor: González Jiménez, José Luis Veure Producció científica UPC; Solar, H.; Adin, Iñigo; Mateo Peña, Diego Veure Producció científica UPC; Berenguer, Roc
Data: set-2011
Tipus de document: Article
Resum: A decreasing-sized π -model electrostatic discharge (ESD) protection structure is presented and applied to protect against ESD stresses at the RF input pad of an ultra-low power CMOS front-end operating in the 2.4-GHz industrial-scientific-medical band. The proposed ESD protection structure is composed of a pair of ESD devices located near the RF pad, another pair close to the core circuit, and a high-quality integrated inductor connecting these two pairs. This structure can sustain a human body-model ESD level higher than 16 kV and a machine-model ESD level higher than 1 kV without degrading the RF performance of the front-end. A combined on-wafer transmission line pulse and RF test methodology for RF circuits is also presented confirming previous results. The front-end implements a zero-IF receiver. It has been implemented in a standard 2P6M 0.18-μm CMOS process. It exhibits a voltage gain of 24 dB and a single-sideband noise figure of 8.4 dB, which make it suitable for most of the 2.4-GHz wireless short-range communication transceivers. The power consumption is only 1.06 mW from a 1.2-V voltage supply.
ISSN: 0018-9480
URI: http://hdl.handle.net/2117/14366
DOI: 10.1109/TMTT.2011.2160078
Versió de l'editor: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=05953539
Apareix a les col·leccions:HIPICS - High Performance Integrated Circuits and Systems. Articles de revista
Altres. Enviament des de DRAC
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius