DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14362

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Laser firedcontactsappliedtotherearsurfaceofheterojunctionsilicon.pdf463.49 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Martin, I. [et al.]. Laser fired contacts applied to the rear surface of heterojunction silicon solar cells. "Solar energy materials and solar cells", Novembre 2011, vol. 95, núm. 11, p. 3119-3123.
Títol: Laser fired contacts applied to the rear surface of heterojunction silicon solar cells
Autor: Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Labrune, M.; Salomon, A.; Roca i Cabarrocas, Pere; Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC
Data: nov-2011
Tipus de document: Article
Resum: In this work, we fabricate heterojunction silicon solar cells on p-type substrates whose rear surface configuration is based on dielectric passivation and laser fired contacts (LFC cells). This is an alternative to boron-doped amorphous silicon film, with which we also fabricate solar cells for direct comparison (HJ cells). As substrates, 3.5 and 0.8 Ω cm p-type double-side polished FZ c-Si wafers are used. Regarding surface passivation for highly doped substrates, LFC configuration has some advantage due to the higher difficulty in creating an efficient amorphous back surface field. Additionally, those substrates are also more advantageous in terms of carrier injection when the rear surface is locally contacted. Thus LFC cells made on 0.8 Ω cm substrates reach Voc values up to 680 mV, in the same range as that of their HJ cell counterpart, with better FF demonstrating that LFC configuration is a feasible alternative for highly doped substrates. Focusing on the impact of the distance between rear contacts on cell performance, we found a trade-off between open circuit voltage Voc and fill factor FF. Finally electroluminescence characterization and the dependence of Voc on pitch, modeled by Fischer's equation, indicate that the depassivated area due to the laser processing of the contacts is bigger than the contacted area.
ISSN: 0927-0248
URI: http://hdl.handle.net/2117/14362
DOI: 10.1016/j.solmat.2011.06.049
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius